| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MV2N5114UB |
| Codice Parte EBEE | E817516118 |
| Confezione | SMD-3P |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 500mW 30mA@18V P-channel 75Ω 30V SMD-3P JFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $284.3973 | $ 284.3973 |
| 200+ | $113.4761 | $ 22695.2200 |
| 500+ | $109.6857 | $ 54842.8500 |
| 1000+ | $107.8115 | $ 107811.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I JFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 25pF@15V | |
| Dissipazione totale del dispositivo (Pd) | 500mW | |
| Corrente di scarico (Ids-Vds,Vgs-0) | 30mA@18V | |
| Tipo di FET | P-channel | |
| Scarico statico Fonte sulla resistenza (RDS(on)) | 75Ω | |
| Tensione di rottura Gate-Source (V(BR)GSS) | 30V | |
| Gate-Source Cutoff Tensione (VGS(off)-ID) | 5V@1nA |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $284.3973 | $ 284.3973 |
| 200+ | $113.4761 | $ 22695.2200 |
| 500+ | $109.6857 | $ 54842.8500 |
| 1000+ | $107.8115 | $ 107811.5000 |
