| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | JANTXV2N6341 |
| Codice Parte EBEE | E83201141 |
| Confezione | TO-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 150V 200W 30@10A,2V NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $393.1684 | $ 393.1684 |
| 200+ | $152.1511 | $ 30430.2200 |
| 500+ | $146.8047 | $ 73402.3500 |
| 1000+ | $144.1626 | $ 144162.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP JANTXV2N6341 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+175℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | - | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 200W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 50uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 150V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 30@10A,2V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 1.8V@25A,2.5A | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $393.1684 | $ 393.1684 |
| 200+ | $152.1511 | $ 30430.2200 |
| 500+ | $146.8047 | $ 73402.3500 |
| 1000+ | $144.1626 | $ 144162.6000 |
