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MDD(Microdiode Semiconductor) SI2302S
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SI2302S |
| Codice Parte EBEE | E8427388 |
| Confezione | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 20V 2.3A 48mΩ@4.5V,2A 1W 600mV@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0179 | $ 0.8950 |
| 500+ | $0.0146 | $ 7.3000 |
| 3000+ | $0.0110 | $ 33.0000 |
| 6000+ | $0.0100 | $ 60.0000 |
| 24000+ | $0.0090 | $ 216.0000 |
| 51000+ | $0.0086 | $ 438.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | MDD(Microdiode Semiconductor) SI2302S | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 48mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 600mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 160pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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