| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | ME08N20-G |
| Codice Parte EBEE | E8709728 |
| Confezione | TO-252-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 9A 350mΩ@10V,5A 74.9W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-3 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3182 | $ 1.5910 |
| 50+ | $0.2528 | $ 12.6400 |
| 150+ | $0.2248 | $ 33.7200 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
| 2500+ | $0.1743 | $ 435.7500 |
| 5000+ | $0.1650 | $ 825.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | MATSUKI ME08N20-G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 200V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 9A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 350mΩ@10V,5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 74.9W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 21pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2.61nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 51.7nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3182 | $ 1.5910 |
| 50+ | $0.2528 | $ 12.6400 |
| 150+ | $0.2248 | $ 33.7200 |
| 500+ | $0.1899 | $ 94.9500 |
| 2500+ | $0.1743 | $ 435.7500 |
| 5000+ | $0.1650 | $ 825.0000 |
