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MATSUKI ME08N20-G


Produttore
Codice Parte Mfr.
ME08N20-G
Codice Parte EBEE
E8709728
Confezione
TO-252-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
200V 9A 350mΩ@10V,5A 74.9W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaMATSUKI ME08N20-G
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo di tipo1 N-channel
Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss)200V
Corrente di scarico continuo (Id)9A
Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id)350mΩ@10V,5A
Dissipazione di potenza (Pd)74.9W
Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)4V@250uA
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)21pF@25V
Capacità di ingresso (Ciss-Vds)2.61nF@25V
Carica totale del cancello (Qg-Vgs)51.7nC@10V

Guida all’acquisto

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