| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MSG50T65HHC0 |
| Codice Parte EBEE | E87424067 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 50A 650V TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7350 | $ 1.7350 |
| 10+ | $1.4243 | $ 14.2430 |
| 30+ | $1.2311 | $ 36.9330 |
| 90+ | $1.0320 | $ 92.8800 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT | |
| Scheda Tecnica | MASPOWER MSG50T65HHC0 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃ | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 650V | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | 4V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 368W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 118nC@15V | |
| Td(off) | 140ns | |
| Td(on) | 33ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 125ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.53mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 650uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 3.33nF@25V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7350 | $ 1.7350 |
| 10+ | $1.4243 | $ 14.2430 |
| 30+ | $1.2311 | $ 36.9330 |
| 90+ | $1.0320 | $ 92.8800 |
