| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | L2N7002WT1G |
| Codice Parte EBEE | E812778 |
| Confezione | SOT-323 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 115mA 1.4Ω@10V,500mA 225mW 2.5V@250uA 1 N-Channel SC-70-3 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0199 | $ 0.9950 |
| 500+ | $0.0162 | $ 8.1000 |
| 3000+ | $0.0141 | $ 42.3000 |
| 6000+ | $0.0128 | $ 76.8000 |
| 24000+ | $0.0117 | $ 280.8000 |
| 51000+ | $0.0111 | $ 566.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | LRC L2N7002WT1G | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 7.5Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0199 | $ 0.9950 |
| 500+ | $0.0162 | $ 8.1000 |
| 3000+ | $0.0141 | $ 42.3000 |
| 6000+ | $0.0128 | $ 76.8000 |
| 24000+ | $0.0117 | $ 280.8000 |
| 51000+ | $0.0111 | $ 566.1000 |
