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InventChip IV2Q12160T4Z
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV2Q12160T4Z |
| Codice Parte EBEE | E822368198 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | None |
| Descrizione | TO-247-4 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6860 | $ 8.6860 |
| 10+ | $7.4491 | $ 74.4910 |
| 30+ | $6.6965 | $ 200.8950 |
| 90+ | $6.0650 | $ 545.8500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV2Q12160T4Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 208mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 35pF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC |
Guida all’acquisto
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| 10+ | $7.4491 | $ 74.4910 |
| 30+ | $6.6965 | $ 200.8950 |
| 90+ | $6.0650 | $ 545.8500 |
