Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
InventChip IV2Q06025D7Z
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV2Q06025D7Z |
| Codice Parte EBEE | E822368184 |
| Confezione | TO-263-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | None |
| Descrizione | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4130 | $ 15.4130 |
| 10+ | $14.6743 | $ 146.7430 |
| 30+ | $13.3960 | $ 401.8800 |
| 100+ | $12.2817 | $ 1228.1700 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV2Q06025D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 33mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 19pF | |
| Pd - Power Dissipation | 600W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 111A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.09nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 251pF | |
| Gate Charge(Qg) | 125nC |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4130 | $ 15.4130 |
| 10+ | $14.6743 | $ 146.7430 |
| 30+ | $13.3960 | $ 401.8800 |
| 100+ | $12.2817 | $ 1228.1700 |
