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Infineon Technologies IKW25T120
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IKW25T120 |
| Codice Parte EBEE | E8127955 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247AC-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| Scheda Tecnica | Infineon IKW25T120 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃ | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 1.2kV | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | 5V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 155nC@15V | |
| Td(off) | 560ns | |
| Td(on) | 50ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 82pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 200ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 2.2mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.86nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 75A | |
| Output Capacitance(Coes) | 96pF |
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