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Infineon Technologies IGP10N60T
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IGP10N60T |
| Codice Parte EBEE | E8536073 |
| Confezione | TO-220-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-220-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies IGP10N60T | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+175℃ | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 600V | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | [email protected] | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Td(off) | 215ns | |
| Td(on) | 12ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 17pF | |
| Switching Energy(Eoff) | 270uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 160uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 551pF | |
| Output Capacitance(Coes) | 40pF |
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