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HXY MOSFET SI2302-HXY
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SI2302-HXY |
| Codice Parte EBEE | E84748714 |
| Confezione | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 20V 2.8A 55mΩ@4.5V,2.8A 900mW 1.2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0139 | $ 1.3900 |
| 1000+ | $0.0113 | $ 11.3000 |
| 3000+ | $0.0088 | $ 26.4000 |
| 9000+ | $0.0080 | $ 72.0000 |
| 51000+ | $0.0072 | $ 367.2000 |
| 99000+ | $0.0068 | $ 673.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET SI2302-HXY | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 55mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 27pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 260pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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| 3000+ | $0.0088 | $ 26.4000 |
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