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HUASHUO HSBG2103
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HSBG2103 |
| Codice Parte EBEE | E8845598 |
| Confezione | DFN1006-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 20V 650mA 520mΩ@4.5V,650mA 150mW 1V@250uA 1 Piece P-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 10+ | $0.0465 | $ 0.4650 |
| 100+ | $0.0380 | $ 3.8000 |
| 300+ | $0.0336 | $ 10.0800 |
| 1000+ | $0.0304 | $ 30.4000 |
| 5000+ | $0.0245 | $ 122.5000 |
| 10000+ | $0.0231 | $ 231.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | HUASHUO HSBG2103 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 20V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 650mA | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 520mΩ@4.5V,650mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 150mW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA |
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