| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HSBA15810C |
| Codice Parte EBEE | E8845605 |
| Confezione | PQFN-8(5x6) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | None |
| Descrizione | 100V 100A 4.5mΩ@10V,30A 208W 4V@250uA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0321 | $ 1.0321 |
| 10+ | $0.8325 | $ 8.3250 |
| 30+ | $0.7335 | $ 22.0050 |
| 100+ | $0.6345 | $ 63.4500 |
| 500+ | $0.5744 | $ 287.2000 |
| 1000+ | $0.5444 | $ 544.4000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | HUASHUO HSBA15810C | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 100V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 100A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.5mΩ@10V,30A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 208W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0321 | $ 1.0321 |
| 10+ | $0.8325 | $ 8.3250 |
| 30+ | $0.7335 | $ 22.0050 |
| 100+ | $0.6345 | $ 63.4500 |
| 500+ | $0.5744 | $ 287.2000 |
| 1000+ | $0.5444 | $ 544.4000 |
