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HTCSEMI HT100NF80ASZ
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HT100NF80ASZ |
| Codice Parte EBEE | E82874956 |
| Confezione | TO-263 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 80V 100A 8mΩ@10V,37.5A 173W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.6353 | $ 6.3530 |
| 30+ | $0.5691 | $ 17.0730 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | HTCSEMI HT100NF80ASZ | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 8mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 275pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 173W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.38nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.22nF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC@10V |
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