| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HB3510P |
| Codice Parte EBEE | E8271448 |
| Confezione | TO-263 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 100V 50A 110W 38mΩ@10V,15A 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3503 | $ 1.7515 |
| 50+ | $0.2763 | $ 13.8150 |
| 150+ | $0.2476 | $ 37.1400 |
| 500+ | $0.2117 | $ 105.8500 |
| 2500+ | $0.1957 | $ 489.2500 |
| 5000+ | $0.1861 | $ 930.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | HL(Haolin Elec) HB3510P | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 100V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 50A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 38mΩ@10V,15A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 110W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 275pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1489pF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 60nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3503 | $ 1.7515 |
| 50+ | $0.2763 | $ 13.8150 |
| 150+ | $0.2476 | $ 37.1400 |
| 500+ | $0.2117 | $ 105.8500 |
| 2500+ | $0.1957 | $ 489.2500 |
| 5000+ | $0.1861 | $ 930.5000 |
