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HARRIS IRFR422
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRFR422 |
| Codice Parte EBEE | E83290912 |
| Confezione | TO-252(DPAK) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 500V 4Ω 50W 4V@250uA 1 N-channel TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5466 | $ 0.5466 |
| 200+ | $0.2130 | $ 42.6000 |
| 500+ | $0.2041 | $ 102.0500 |
| 1000+ | $0.2006 | $ 200.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | HARRIS IRFR422 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Continuous Drain Current (Id) | - | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4Ω | |
| Power Dissipation (Pd) | 50W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9.6pF@25V | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 350pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $0.5466 | $ 0.5466 |
| 200+ | $0.2130 | $ 42.6000 |
| 500+ | $0.2041 | $ 102.0500 |
| 1000+ | $0.2006 | $ 200.6000 |
