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HARRIS IRF442
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRF442 |
| Codice Parte EBEE | E83291246 |
| Confezione | TO-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 500V 7A 125W 0.85Ω@10V,4.4A 4V@250uA 1 N-channel TO-3 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8544 | $ 1.8544 |
| 200+ | $0.7188 | $ 143.7600 |
| 500+ | $0.6939 | $ 346.9500 |
| 1000+ | $0.6815 | $ 681.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | HARRIS IRF442 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Continuous Drain Current (Id) | 7A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 0.85Ω@10V,4.4A | |
| Power Dissipation (Pd) | 125W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 85pF@25V | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.225nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 63nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $1.8544 | $ 1.8544 |
| 200+ | $0.7188 | $ 143.7600 |
| 500+ | $0.6939 | $ 346.9500 |
| 1000+ | $0.6815 | $ 681.5000 |
