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Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CMJ


Produttore
Codice Parte Mfr.
SVF7N65CMJ
Codice Parte EBEE
E8403825
Confezione
TO-251-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
650V 7A 90W 1.1Ω@10V,3.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-251-3 MOSFETs ROHS
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50+$0.2972$ 14.8600
150+$0.2619$ 39.2850
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4500+$0.1880$ 846.0000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaHangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CMJ
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)1.1Ω@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)9pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation90W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)7A
Ciss-Input Capacitance789pF
Output Capacitance(Coss)98pF
Gate Charge(Qg)21nC@10V

Guida all’acquisto

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