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Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CDTR
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SVF7N65CDTR |
| Codice Parte EBEE | E82930957 |
| Confezione | TO-252-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3584 | $ 1.7920 |
| 50+ | $0.2877 | $ 14.3850 |
| 150+ | $0.2573 | $ 38.5950 |
| 500+ | $0.2138 | $ 106.9000 |
| 2500+ | $0.1970 | $ 492.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CDTR | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.1Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 89W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 789pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21.2nC@10V |
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