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Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65DTR
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SVF4N65DTR |
| Codice Parte EBEE | E882831 |
| Confezione | TO-252-2(DPAK) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 4A 2.7Ω@10V,2A 77W 4V@250uA 1 N-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2247 | $ 1.1235 |
| 50+ | $0.1783 | $ 8.9150 |
| 150+ | $0.1584 | $ 23.7600 |
| 500+ | $0.1336 | $ 66.8000 |
| 2500+ | $0.1225 | $ 306.2500 |
| 5000+ | $0.1158 | $ 579.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65DTR | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 2.7Ω@10V | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 5.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 77W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 533pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.8nC@10V |
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