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Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65CAF
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SVF4N65CAF |
| Codice Parte EBEE | E8467748 |
| Confezione | TO-220F-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 4A 2.3Ω@10V,2A 30W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $0.3982 | $ 0.3982 |
| 10+ | $0.3121 | $ 3.1210 |
| 50+ | $0.2752 | $ 13.7600 |
| 100+ | $0.2306 | $ 23.0600 |
| 500+ | $0.2106 | $ 105.3000 |
| 1000+ | $0.1983 | $ 198.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65CAF | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 2.3Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V;4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 430pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
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