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Hangzhou Silan Microelectronics SVF18N50PN
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SVF18N50PN |
| Codice Parte EBEE | E82761790 |
| Confezione | TO-3P |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 500V 18A 260mΩ@10V,9A 240W 4V@250uA 1 N-Channel TO-3P MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $1.0749 | $ 1.0749 |
| 10+ | $0.8638 | $ 8.6380 |
| 30+ | $0.7844 | $ 23.5320 |
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| 510+ | $0.6177 | $ 315.0270 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Hangzhou Silan Microelectronics SVF18N50PN | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 260mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 240W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.32nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 282pF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
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