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Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SVF12N65F |
| Codice Parte EBEE | E818781 |
| Confezione | TO-220F |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 12A 51W 680mΩ@10V,6A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $0.5302 | $ 0.5302 |
| 10+ | $0.4257 | $ 4.2570 |
| 50+ | $0.3450 | $ 17.2500 |
| 100+ | $0.2896 | $ 28.9600 |
| 500+ | $0.2643 | $ 132.1500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 640mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 51W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 156pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
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