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Hangzhou Silan Microelectronics SVD1055SATR
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SVD1055SATR |
| Codice Parte EBEE | E82761105 |
| Confezione | SOP-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | SOP-8 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3108 | $ 0.3108 |
| 10+ | $0.2746 | $ 2.7460 |
| 30+ | $0.2595 | $ 7.7850 |
| 100+ | $0.2399 | $ 23.9900 |
| 500+ | $0.2037 | $ 101.8500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Hangzhou Silan Microelectronics SVD1055SATR | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel + P-Channel | |
| RDS (on) | 175mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 20.5pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 450pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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| 100+ | $0.2399 | $ 23.9900 |
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