| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GBS032R4PMAR |
| Codice Parte EBEE | E828324646 |
| Confezione | PDFN5x6-8L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | PDFN-8L(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2475 | $ 0.2475 |
| 10+ | $0.2144 | $ 2.1440 |
| 30+ | $0.2002 | $ 6.0060 |
| 100+ | $0.1829 | $ 18.2900 |
| 500+ | $0.1750 | $ 87.5000 |
| 1000+ | $0.1703 | $ 170.3000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | GOSEMICON GBS032R4PMAR | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 2.5mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 100pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2475 | $ 0.2475 |
| 10+ | $0.2144 | $ 2.1440 |
| 30+ | $0.2002 | $ 6.0060 |
| 100+ | $0.1829 | $ 18.2900 |
| 500+ | $0.1750 | $ 87.5000 |
| 1000+ | $0.1703 | $ 170.3000 |
