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GOFORD GT080N10K


Produttore
Codice Parte Mfr.
GT080N10K
Codice Parte EBEE
E82840755
Confezione
TO-252
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
100V 75A 10mΩ@4.5V,50A 100W 1V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS
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Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$0.5117$ 0.5117
10+$0.4129$ 4.1290
30+$0.3630$ 10.8900
100+$0.3130$ 31.3000
500+$0.2835$ 141.7500
1000+$0.2681$ 268.1000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaGOFORD GT080N10K
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)8mΩ@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)19pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation100W
Drain to Source Voltage100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Current - Continuous Drain(Id)75A
Ciss-Input Capacitance2.056nF
Output Capacitance(Coss)380pF
Gate Charge(Qg)70nC@10V

Guida all’acquisto

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