| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DI008N09SQ |
| Codice Parte EBEE | E86601686 |
| Confezione | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 90V 8A 75mΩ@10V,5A 2W 2.5V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4804 | $ 0.4804 |
| 200+ | $0.1917 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.1853 | $ 92.6500 |
| 1000+ | $0.1822 | $ 182.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | (DIOTEC) DI008N09SQ | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 90V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 8A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 75mΩ@10V,5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 40pF@15V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.1nF@15V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 12nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4804 | $ 0.4804 |
| 200+ | $0.1917 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.1853 | $ 92.6500 |
| 1000+ | $0.1822 | $ 182.2000 |
