| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | ASU65R1K4E |
| Codice Parte EBEE | E819192892 |
| Confezione | TO-251 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 655V 4A 28W 1.24Ω 3.5V 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2326 | $ 1.1630 |
| 50+ | $0.2031 | $ 10.1550 |
| 150+ | $0.1905 | $ 28.5750 |
| 525+ | $0.1747 | $ 91.7175 |
| 2475+ | $0.1677 | $ 415.0575 |
| 4950+ | $0.1635 | $ 809.3250 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | ANHI ASU65R1K4E | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.4Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W | |
| Drain to Source Voltage | 655V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 238pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.76nC |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2326 | $ 1.1630 |
| 50+ | $0.2031 | $ 10.1550 |
| 150+ | $0.1905 | $ 28.5750 |
| 525+ | $0.1747 | $ 91.7175 |
| 2475+ | $0.1677 | $ 415.0575 |
| 4950+ | $0.1635 | $ 809.3250 |
