| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AOTF10B65M2 |
| Codice Parte EBEE | E817541271 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30W 20A 650V TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4275 | $ 1.4275 |
| 200+ | $0.5696 | $ 113.9200 |
| 500+ | $0.5513 | $ 275.6500 |
| 1000+ | $0.5422 | $ 542.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | - | |
| Corrente del collettore (Ic) | 20A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 30W | |
| - Si gira? - Si'. Tempo di ritardo (Td(off)) | 91ns | |
| - Si gira? - Si'. Tempo di ritardo (Td(on)) | 12ns | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 650V | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | 2V@15V,10A | |
| Carica totale del cancello (Qg-Ic,Vge) | 24nC | |
| Tempo di recupero inverso del Diode (Trr) | 262ns |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4275 | $ 1.4275 |
| 200+ | $0.5696 | $ 113.9200 |
| 500+ | $0.5513 | $ 275.6500 |
| 1000+ | $0.5422 | $ 542.2000 |
