| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AGM628MAP |
| Codice Parte EBEE | E822364308 |
| Confezione | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | None |
| Descrizione | 60V 25A 35W 1 N-Channel + 1 P-Channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2284 | $ 1.1420 |
| 50+ | $0.1838 | $ 9.1900 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1409 | $ 70.4500 |
| 2500+ | $0.1302 | $ 325.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | AGM-Semi AGM628MAP | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 60V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 25A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 30mΩ@10V,15A;44mΩ@10V,15A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 35W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1.5V@250uA;1.7V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 0.868nF@30V;0.748nF@30V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 19nC@10V;25nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2284 | $ 1.1420 |
| 50+ | $0.1838 | $ 9.1900 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
| 500+ | $0.1409 | $ 70.4500 |
| 2500+ | $0.1302 | $ 325.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
