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AGM-Semi AGM18N10AP


Produttore
Codice Parte Mfr.
AGM18N10AP
Codice Parte EBEE
E87509649
Confezione
PDFN-8(3.3x3.3)
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
100V 35A 45W 17mΩ@10V,12A 1.6V@250uA 1 N-channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaAGM-Semi AGM18N10AP
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo di tipo1 N-channel
Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss)100V
Corrente di scarico continuo (Id)35A
Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id)17mΩ@10V,12A
Dissipazione di potenza (Pd)45W
Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)1.6V@250uA
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)5.3pF@50V
Carica totale del cancello (Qg-Vgs)12.5nC@10V

Guida all’acquisto

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