| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AGM18N10AP |
| Codice Parte EBEE | E87509649 |
| Confezione | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 100V 35A 45W 17mΩ@10V,12A 1.6V@250uA 1 N-channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1458 | $ 0.7290 |
| 50+ | $0.1159 | $ 5.7950 |
| 150+ | $0.1030 | $ 15.4500 |
| 500+ | $0.0871 | $ 43.5500 |
| 2500+ | $0.0799 | $ 199.7500 |
| 5000+ | $0.0757 | $ 378.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | AGM-Semi AGM18N10AP | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 100V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 35A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 17mΩ@10V,12A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 45W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1.6V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 5.3pF@50V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 12.5nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1458 | $ 0.7290 |
| 50+ | $0.1159 | $ 5.7950 |
| 150+ | $0.1030 | $ 15.4500 |
| 500+ | $0.0871 | $ 43.5500 |
| 2500+ | $0.0799 | $ 199.7500 |
| 5000+ | $0.0757 | $ 378.5000 |
