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AGM-Semi AGM01P15AP
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AGM01P15AP |
| Codice Parte EBEE | E87466531 |
| Confezione | PDFN3.3x3.3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 100V 10.5A 315mΩ@10V,6A 33W 1.9V@250uA 1 Piece P-Channel PDFN3.3x3.3 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1694 | $ 0.8470 |
| 50+ | $0.1352 | $ 6.7600 |
| 150+ | $0.1205 | $ 18.0750 |
| 500+ | $0.1022 | $ 51.1000 |
| 2500+ | $0.0941 | $ 235.2500 |
| 5000+ | $0.0891 | $ 445.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | AGM-Semi AGM01P15AP | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 100V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 10.5A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 315mΩ@10V,6A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 33W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1.9V@250uA | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 33nC@10V |
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