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Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DQG2


Fabricant
Référence Fabricant
YJD112010DQG2
Référence EBEE
E820605590
Boîtier
TO-252
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
TO-252 SiC Diodes ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$2.0888$ 2.0888
10+$1.7874$ 17.8740
30+$1.5981$ 47.9430
100+$1.4041$ 140.4100
500+$1.3158$ 657.9000
1000+$1.2779$ 1277.9000
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC
Fiche TechniqueYangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DQG2
RoHS
Courant de fuite inverse (Ir)13uA@1200V
Tension - marche arrière (Vr) (Max)1.2kV
Voltage - Forward(Vf@If)1.54V@10A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current85A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

Guide d’achat

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