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HXY MOSFET HC3D10065A
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HC3D10065A |
| Référence EBEE | E819723878 |
| Boîtier | TO-220-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V Independent Type 1.5V@10A TO-220-2L SiC Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock: 34
Minimum : 1Multiples : 1
Prix unitaire
$ 1.3077
Prix total
$ 1.3077
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3077 | $ 1.3077 |
| 10+ | $1.0581 | $ 10.5810 |
| 50+ | $0.9076 | $ 45.3800 |
| 100+ | $0.7839 | $ 78.3900 |
| 500+ | $0.7096 | $ 354.8000 |
| 1000+ | $0.6704 | $ 670.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HC3D10065A | |
| RoHS | ||
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 90A |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 1+ | $1.3077 | $ 1.3077 |
| 10+ | $1.0581 | $ 10.5810 |
| 50+ | $0.9076 | $ 45.3800 |
| 100+ | $0.7839 | $ 78.3900 |
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