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Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DG1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | YJD112010DG1 |
| Référence EBEE | E82908532 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV 1.47V@10A Independent Type 33A TO-252 SiC Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7421 | $ 5.7421 |
| 10+ | $5.0590 | $ 50.5900 |
| 30+ | $4.6437 | $ 139.3110 |
| 100+ | $4.2941 | $ 429.4100 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DG1 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | [email protected] | |
| Tension inverse (Vr) | 1.2kV | |
| Configuration à diode | Independent Type | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.47V@10A | |
| Courant rectifié (Io) | 33A |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7421 | $ 5.7421 |
| 10+ | $5.0590 | $ 50.5900 |
| 30+ | $4.6437 | $ 139.3110 |
| 100+ | $4.2941 | $ 429.4100 |
