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WeEn Semiconductors NXPSC12650B6J


Fabricant
Référence Fabricant
NXPSC12650B6J
Référence EBEE
E8602646
Boîtier
TO-263
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
650V Independent Type 1.5V@12A 12A D2PAK SiC Diodes ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$8.2557$ 8.2557
10+$7.9053$ 79.0530
30+$7.6901$ 230.7030
100+$7.5118$ 751.1800
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$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC
Fiche TechniqueWeEn Semiconductors NXPSC12650B6J
RoHS
Courant de fuite inverse (Ir)80uA@650V
Configuration à diodeIndependent
Tension - marche arrière (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.5V@12A
Current - Rectified12A

Guide d’achat

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