| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NXPSC10650X6Q |
| Référence EBEE | E8602668 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V Independent Type 1.5V@10A 10A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3722 | $ 4.3722 |
| 10+ | $3.7808 | $ 37.8080 |
| 50+ | $3.4308 | $ 171.5400 |
| 100+ | $3.0748 | $ 307.4800 |
| 500+ | $2.9103 | $ 1455.1500 |
| 1000+ | $2.8364 | $ 2836.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | WeEn Semiconductors NXPSC10650X6Q | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 250uA@650V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Current - Rectified | 10A |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3722 | $ 4.3722 |
| 10+ | $3.7808 | $ 37.8080 |
| 50+ | $3.4308 | $ 171.5400 |
| 100+ | $3.0748 | $ 307.4800 |
| 500+ | $2.9103 | $ 1455.1500 |
| 1000+ | $2.8364 | $ 2836.4000 |
