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WeEn Semiconductors NXPSC08650D6J


Fabricant
Référence Fabricant
NXPSC08650D6J
Référence EBEE
E8602666
Boîtier
TO-252
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
650V Independent Type 1.5V@8A 8A TO-252 SiC Diodes ROHS
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Qualité
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$2.3619$ 2.3619
10+$1.9685$ 19.6850
30+$1.7226$ 51.6780
100+$1.4706$ 147.0600
500+$1.3569$ 678.4500
1000+$1.3062$ 1306.2000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC
Fiche TechniqueWeEn Semiconductors NXPSC08650D6J
RoHS
Courant de fuite inverse (Ir)230uA@650V
Configuration à diodeIndependent
Tension - marche arrière (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.5V@8A
Current - Rectified8A

Guide d’achat

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