| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NXPSC04650B6J |
| Référence EBEE | E8602660 |
| Boîtier | D2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 1.5V@4A Independent Type 4A D2PAK SiC Diodes ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3703 | $ 1.3703 |
| 10+ | $1.3402 | $ 13.4020 |
| 30+ | $1.3188 | $ 39.5640 |
| 100+ | $1.2994 | $ 129.9400 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | WeEn Semiconductors NXPSC04650B6J | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 170uA@650V | |
| Tension inverse (Vr) | 650V | |
| Configuration à diode | Independent Type | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.5V@4A | |
| Courant rectifié (Io) | 4A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3703 | $ 1.3703 |
| 10+ | $1.3402 | $ 13.4020 |
| 30+ | $1.3188 | $ 39.5640 |
| 100+ | $1.2994 | $ 129.9400 |
