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Vishay Intertech SI8806DB-T2-E1


Fabricant
Référence Fabricant
SI8806DB-T2-E1
Référence EBEE
E8727308
Boîtier
XFBGA-4
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
12V 3.9A 43mΩ@4.5V,1A 500mW 400mV@250uA 1 N-channel XFBGA-4 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$0.1996$ 0.1996
200+$0.0773$ 15.4600
500+$0.0745$ 37.2500
1000+$0.0733$ 73.3000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Fiche TechniqueVISHAY SI8806DB-T2-E1
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃@(Tj)
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)12V
Courant de drainage continu (Id)3.9A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)43mΩ@4.5V,1A
Dissipation de puissance (Pd)500mW
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)400mV@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)-
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)-
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)17nC@8V

Guide d’achat

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