| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI8806DB-T2-E1 |
| Référence EBEE | E8727308 |
| Boîtier | XFBGA-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 12V 3.9A 43mΩ@4.5V,1A 500mW 400mV@250uA 1 N-channel XFBGA-4 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1996 | $ 0.1996 |
| 200+ | $0.0773 | $ 15.4600 |
| 500+ | $0.0745 | $ 37.2500 |
| 1000+ | $0.0733 | $ 73.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SI8806DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 12V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3.9A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 43mΩ@4.5V,1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 400mV@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | - | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 17nC@8V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1996 | $ 0.1996 |
| 200+ | $0.0773 | $ 15.4600 |
| 500+ | $0.0745 | $ 37.2500 |
| 1000+ | $0.0733 | $ 73.3000 |
