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HXY MOSFET 2N7002-HXY
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N7002-HXY |
| Référence EBEE | E84748728 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 300mA 350mW 2Ω@10V,0.5A 1.9V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0097 | $ 0.1940 |
| 200+ | $0.0079 | $ 1.5800 |
| 600+ | $0.0070 | $ 4.2000 |
| 3000+ | $0.0055 | $ 16.5000 |
| 9000+ | $0.0050 | $ 45.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET 2N7002-HXY | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 2Ω@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 300mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 600+ | $0.0070 | $ 4.2000 |
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