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Vishay Intertech SI8481DB-T1-E1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI8481DB-T1-E1 |
| Référence EBEE | E8727389 |
| Boîtier | MicroFoot-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 9.7A 21mΩ@4.5V,3A 1.1W 900mV@250uA 1 Piece P-Channel MicroFoot-4 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1815 | $ 0.1815 |
| 200+ | $0.0703 | $ 14.0600 |
| 500+ | $0.0679 | $ 33.9500 |
| 1000+ | $0.0666 | $ 66.6000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SI8481DB-T1-E1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 9.7A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 21mΩ@4.5V,3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.1W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 900mV@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 81pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.5nF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1815 | $ 0.1815 |
| 200+ | $0.0703 | $ 14.0600 |
| 500+ | $0.0679 | $ 33.9500 |
| 1000+ | $0.0666 | $ 66.6000 |
