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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | VB3658 |
| Référence EBEE | E87494514 |
| Boîtier | TSOP-6 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 4.2A 2W 1.2V@250uA 2 N-Channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2969 | $ 1.4845 |
| 50+ | $0.2356 | $ 11.7800 |
| 150+ | $0.2094 | $ 31.4100 |
| 500+ | $0.1766 | $ 88.3000 |
| 3000+ | $0.1621 | $ 486.3000 |
| 6000+ | $0.1533 | $ 919.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec VB3658 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 48mΩ@10V;60mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 42pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.8W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2969 | $ 1.4845 |
| 50+ | $0.2356 | $ 11.7800 |
| 150+ | $0.2094 | $ 31.4100 |
| 500+ | $0.1766 | $ 88.3000 |
| 3000+ | $0.1621 | $ 486.3000 |
| 6000+ | $0.1533 | $ 919.8000 |
