| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HAT2218RJ-VB |
| Référence EBEE | E829779301 |
| Boîtier | SOP-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 8A 0.0156Ω@10V,8A 2W 1V@1mA SOP-8 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8226 | $ 0.8226 |
| 200+ | $0.3291 | $ 65.8200 |
| 500+ | $0.3181 | $ 159.0500 |
| 1000+ | $0.3127 | $ 312.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec HAT2218RJ-VB | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.0156Ω@10V,8A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@1mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 65pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 950pF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 16.5nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8226 | $ 0.8226 |
| 200+ | $0.3291 | $ 65.8200 |
| 500+ | $0.3181 | $ 159.0500 |
| 1000+ | $0.3127 | $ 312.7000 |
