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VBsemi Elec BSC093N04LS G-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSC093N04LS G-VB |
| Référence EBEE | E87463906 |
| Boîtier | DFN5x6-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 70A 6.15W 1.2V@250uA 1 N-channel QFN8(5X6) MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.7058 | $ 7.0580 |
| 30+ | $0.6289 | $ 18.8670 |
| 100+ | $0.5520 | $ 55.2000 |
| 500+ | $0.4603 | $ 230.1500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec BSC093N04LS G-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 5mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 670pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 6.15W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.195nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 975pF | |
| Gate Charge(Qg) | 67nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $0.7058 | $ 7.0580 |
| 30+ | $0.6289 | $ 18.8670 |
| 100+ | $0.5520 | $ 55.2000 |
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