| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CI30S65D3L2 |
| Référence EBEE | E8967717 |
| Boîtier | TO-247-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V Independent Type 1.35V@20A 86A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2265 | $ 4.2265 |
| 10+ | $3.6311 | $ 36.3110 |
| 30+ | $3.2770 | $ 98.3100 |
| 90+ | $2.9182 | $ 262.6380 |
| 510+ | $2.7531 | $ 1404.0810 |
| 1020+ | $2.6785 | $ 2732.0700 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | Tokmas CI30S65D3L2 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 8uA@650V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.35V@20A | |
| Current - Rectified | 86A |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2265 | $ 4.2265 |
| 10+ | $3.6311 | $ 36.3110 |
| 30+ | $3.2770 | $ 98.3100 |
| 90+ | $2.9182 | $ 262.6380 |
| 510+ | $2.7531 | $ 1404.0810 |
| 1020+ | $2.6785 | $ 2732.0700 |
