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Tokmas CI08S65E3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CI08S65E3 |
| Référence EBEE | E8967708 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V Independent Type 1.5V@8A 20A TO-252-2 SiC Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| 10+ | $0.9860 | $ 9.8600 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Fiche Technique | Tokmas CI08S65E3 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 42.5uA@650V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@8A | |
| Current - Rectified | 20A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 71A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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