| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CI02S120E3 |
| Référence EBEE | E8967720 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 1.2kV Independent Type 1.4V@2A 10A TO-252 SiC Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8839 | $ 0.8839 |
| 10+ | $0.7408 | $ 7.4080 |
| 30+ | $0.6702 | $ 20.1060 |
| 100+ | $0.5978 | $ 59.7800 |
| 500+ | $0.4746 | $ 237.3000 |
| 1000+ | $0.4529 | $ 452.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | Tokmas CI02S120E3 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | [email protected] | |
| Tension inverse (Vr) | 1.2kV | |
| Configuration à diode | Independent Type | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.4V@2A | |
| Courant rectifié (Io) | 10A |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8839 | $ 0.8839 |
| 10+ | $0.7408 | $ 7.4080 |
| 30+ | $0.6702 | $ 20.1060 |
| 100+ | $0.5978 | $ 59.7800 |
| 500+ | $0.4746 | $ 237.3000 |
| 1000+ | $0.4529 | $ 452.9000 |
