| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TDM3432 |
| Référence EBEE | E8380234 |
| Boîtier | TO-263-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 40V 25A 2.7W 3.4mΩ@10V,25A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-263-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7665 | $ 0.7665 |
| 10+ | $0.6267 | $ 6.2670 |
| 30+ | $0.5576 | $ 16.7280 |
| 100+ | $0.4885 | $ 48.8500 |
| 500+ | $0.4461 | $ 223.0500 |
| 800+ | $0.4257 | $ 340.5600 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | Techcode TDM3432 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 4.1mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 88pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.7W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 78A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.65nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 750pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7665 | $ 0.7665 |
| 10+ | $0.6267 | $ 6.2670 |
| 30+ | $0.5576 | $ 16.7280 |
| 100+ | $0.4885 | $ 48.8500 |
| 500+ | $0.4461 | $ 223.0500 |
| 800+ | $0.4257 | $ 340.5600 |
