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Techcode Semicon TDM3412
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TDM3412 |
| Référence EBEE | E8179164 |
| Boîtier | DFN-8-EP(3x3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | 30V 18A 20W 10.8mΩ@10V,10A 2.5V@250uA 2 N-Channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3141 | $ 0.3141 |
| 10+ | $0.2456 | $ 2.4560 |
| 30+ | $0.2163 | $ 6.4890 |
| 100+ | $0.1797 | $ 17.9700 |
| 600+ | $0.1634 | $ 98.0400 |
| 1200+ | $0.1536 | $ 184.3200 |
| 1800+ | $0.1516 | $ 272.8800 |
| 4200+ | $0.1502 | $ 630.8400 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | Techcode TDM3412 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | Half-Bridge | |
| RDS (on) | 17.5mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 22pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 600pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 318pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3141 | $ 0.3141 |
| 10+ | $0.2456 | $ 2.4560 |
| 30+ | $0.2163 | $ 6.4890 |
| 100+ | $0.1797 | $ 17.9700 |
| 600+ | $0.1634 | $ 98.0400 |
| 1200+ | $0.1536 | $ 184.3200 |
| 1800+ | $0.1516 | $ 272.8800 |
| 4200+ | $0.1502 | $ 630.8400 |
